Kāda ir atšķirība starp polisiliconu un izkristalizētu silīciju?
Atstāj ziņu
Kāda ir atšķirība starp monokristālisko silīcija un polikristālisko silīciju?
| Īpašums | Monokristālisks silīcijs | Polikristālisks silīcijs |
|---|---|---|
| Kristāla struktūra | Nepārtraukta viena kristāla režģa | Vairāki mazi kristāli ar graudu robežām |
| Ražošanas metode | Czochralski process (lēns, augsta tīrība) | Izkausēta silīcija liešana (ātrāks, rentabls) |
| Efektivitāte (saules) | 15–24% (lielāka enerģijas konversija) | 13-18% (zemāks graudu defektu dēļ) |
| Materiālie atkritumi | ~ 50% zaudējumi, sagriežot cilindriskos lietņus | Minimāli atkritumi (tieša formēšana) |
| Izskats | Vienveidīga tumši melna nokrāsa | Raibā zilā virsma |
Kāda ir atšķirība starp polisiliconu un izkristalizētu silīciju?
Skaidrojums: "Polysilicon" pret "kristalizēts silīcijs"
Polisilikons (poli-si): sinonīms arpolikristālisks silīcijs, atsaucoties uz silīciju, sacietē vairākos kristāliskos graudos.
Izkristalizēts silīcijs: nav standarta tehniskais termins; parasti nozīmē vai numonokristālisks(pilnībā izkristalizēts) vaipolikristālisks(daļēji izkristalizēts) silīcijs. Rūpnieciskie konteksti izmanto tikai "polikristālisko silīciju".
Kādas ir polikristāliskā silīcija izejvielas?
Izejvielas polikristāliskai silīcija ražošanai
Primārās ieejas ietver:
Metalurģijas līmeņa silīcijs (MG-SI): ~ 98% tīrs, iegūts no kvarcīta samazināšanas loka krāsnīs.
Ķīmiskie attīrītāji: hlora savienojumi (piemēram, Sihcl₃) Siemens procesa uzlabošanai.
Sēklu kristāli: fragmenti, lai sāktu kontrolētu sacietēšanu liešanas veidnēs.
Vai polikristālisks silīcija vadošs?
Polikristāliskā silīcija elektriskā vadītspēja
Raksturīgais stāvoklis: Pure Poly-Si ir pusvadītājs-izturas kā izolators absolūtā nullē, bet iegūst vadītspēju ar karstuma/gaismas ierosmi.
Dopinga atkarība: vadītspēja ir noskaņojama:
Fosfora dopinga→ N-tips (elektronu vadīšana)
Bora dopings→ P-Type (caurumu vadīšana)
Graudu robežas trieciens: Kristāla saskarnes izkliedē nesējus, samazinot mobilitāti salīdzinājumā ar mono-Si. Vadīšana pie robežām seko Poole-Frenkel emisijai augstās laukos.
Galvenais veiktspējas metrika
Elektronu mobilitāte: mono-si: ~ 1400 cm²/v · s|Poli-si:<800 cm²/V·s
Termiskā stabilitāte: Poly-Si saglabā strukturālo integritāti līdz 1400 grādiem, kas ir kritiska augstas temperatūras procesiem.
Rūpnieciskā dominance: Poly-Si constitutes >80% saules kvalitātes silīcija tilpuma mērogojamās ražošanas dēļ.
Mono-Si augstākā efektivitāte attaisno tā izmantošanu augstākās kvalitātes elektronikā un kosmosā, savukārt Poly-Si dominē sauszemes saules enerģijas fermās, pieņemot izmaksas.
Apmeklētferro-Silicon-Lloy.comLai uzzinātu vairāk par produktu. Ja vēlaties uzzināt vairāk par produkta cenu vai esat ieinteresēts iegādāties, lūdzu, nosūtiet e -pastu uzinfo@zaferroalloy.comApvidū Mēs atgriezīsimies pie jums, tiklīdz redzēsim jūsu ziņojumu.
