Silīcija karbīds
Dabīgais abrazīvā tips: silīcija karbīds
Mākslīgais abrazīvs veids: silīcija karbīda abrazīvs
Pielietojums: Abrazīvs ugunsizturīgs metalurģisks
Apraksts
ZhenAn International Co., Limited ir viens no uzticamākajiem silīcija karbīda ražotājiem un piegādātājiem Ķīnā. Ar bagātīgu pieredzi mēs sirsnīgi sveicam jūs mūsu rūpnīcas noliktavā esošā silīcija karbīda vairumtirdzniecībā ar atlaidēm. Ir pieejami kvalitatīvi produkti un saprātīga cena.
Silīcija karbīda apraksts
Silīcija karbīds ir trešās{0}}paaudzes pusvadītāju materiāls. Salīdzinot ar parastajiem silīcija materiāliem, silīcija karbīdam ir ļoti izcilas priekšrocības.
Tas ne tikai novērš dažus parasto silīcija materiālu trūkumus, bet arī nodrošina ļoti labu veiktspēju enerģijas patēriņa ziņā, padarot to par populāru spēka elektronikas izvēli. Perspektīvākais pusvadītāju materiāls šajā jomā. Šī iemesla dēļ arvien vairāk pusvadītāju uzņēmumu ir sākuši ienākt SiC tirgū.
Silīcija karbīda specifikācija
SiC tirgus kopsavilkums 2023. gada 8. septembrī
| Ievads: Pašreizējās tirgus cenas ir haotiskas. Tālāk norādītās cenas ir tikai atsauces. Ražotāji var noteikt cenas atbilstoši saviem faktiskajiem apstākļiem. | |||
| produkts | Novērtējums | Šodienas citāts | Piezīmes (ziemeļrietumu teritorijas) |
| silīcija karbīds | 98 | 7200-7300 | -- |
| 88 | 5000-5100 | -- | |
| 88# silīcija karbīds | |||
| apgabalā | Šodienas citāts | kāpumi un kritumi | |
| Gansu | 5000-5100 | -- | |
| Ningxia | 5100-5200 | -- | |
Silīcija karbīds (SiC), gallija nitrīds (GaN), alumīnija nitrīds (ALN), gallija oksīds (Ga2O3) uc kopā tiek saukti par platas joslas pusvadītāju materiāliem, jo joslas spraugas platums ir lielāks par 2,2 eV, un tos sauc arī par trešo paaudzi Ķīnā. Pusvadītāju materiāls.
Pirmais silīcija karbīds cilvēces vēsturē tika atklāts 1891. gadā. Amerikānis Eisons atklāja oglekļa savienojumu, elektrolizējot dimantu. Šī bija pirmā silīcija karbīda sintēze un atklājums. Pēc tam pēc-padziļinātas izpētes dažādu valstu zinātnieki beidzot noskaidroja silīcija karbīda priekšrocības un īpašības, kā arī izgudroja dažādas silīcija karbīda kristālu audzēšanas tehnoloģijas. Rūpnieciskie pētījumi ilga vairāk nekā 70 gadus.
Silīcija karbīds un pusvadītāji
No materiālu puses pusvadītāju rūpniecība ir sadalīta:
Pirmās -paaudzes elementārie pusvadītāju materiāli: piemēram, silīcijs (Si) un germānija (Ge);
Otrās -paaudzes saliktie pusvadītāju materiāli: piemēram, gallija arsenīds (GaAs), indija fosfīds (InP) utt.;
Trešās paaudzes platas joslas materiāli: piemēram, silīcija karbīds (SiC), gallija nitrīds (GaN), alumīnija nitrīds (ALN), gallija oksīds (Ga2O3)
Bieži uzdotie jautājumi par silīcija karbīdu
J: Kādas ir jūsu stiprās puses?
A: Mēs esam ražotājs ar vairāk nekā 10 gadu pieredzi ferosakausējumu jomā. Mums ir savas rūpnīcas, jauki darbinieki un profesionālas ražošanas, apstrādes un pētniecības un attīstības komandas. Kvalitāti var garantēt. Mums ir uzlabotas testēšanas iekārtas un lieliska testēšanas tehnoloģija metalurģijas tērauda ražošanas jomā. Produkti tiks stingri pārbaudīti pirms nosūtīšanas, lai pārliecinātos, ka preces ir kvalificētas.
J: Kāda ir jūsu ražošanas jauda un piegādes datums?
A: 3000 tonnas mēnesī. Mums ir krājumi, lai apmierinātu klientu prasības. Parasti mēs varam piegādāt preces 7-15 dienu laikā pēc jūsu maksājuma.
J: Vai varat sniegt bezmaksas paraugus?
A: Jā, mēs varam nodrošināt bezmaksas paraugus.
Populāri tagi: silīcija karbīds, Ķīnas silīcija karbīda ražotāji, piegādātāji, rūpnīca
Nosūtīt pieprasījumu
Jums varētu patikt arī
